略歴

研究関係

【研究内容】

  1. 多機能走査型プローブ顕微鏡を用いたパワー半導体デバイスの動作環境化における評価
  2. 共焦点レーザ顕微鏡の開発

【学会発表】
〔第一著者分〕

  1. FM-AFM/KFM/SCFMによるSiC製プレーナ型パワーMOSFETのナノスケール観測
    増田 匠 ,土井 敦史,山本 秀和,佐藤 宣夫, 令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, YPC, Y-21, (2022/08/30).
  2. FM-AFM/KFM/SCFMによるプレーナ型SiC製パワーMOSFETのナノスケール観測
    増田 匠 ,土井 敦史,佐藤 宣夫,山本 秀和, 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-002, (2022/03/23).

〔共同研究者分〕

  1. 観測データを用いたSiCプレーナ型MOSFETの数値計算モデルの検討
    松井五月,増田 匠,土井敦史,山本秀和,佐藤宣夫,令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, YPC, Y-12, (2022/08/30)
  2. 走査型容量原子間力顕微鏡法によるβ-Ga2O3のドーパント濃度評価
    ノベルクリスタルテクノロジー1,千葉工大2
    内田 悠貴1, 加藤 圭一郎2, 増田 匠2, 佐々木 公平1, 佐藤 宣夫2, 山本 秀和2, 第69回応用物理学会春季学術講演会, E202会場, (2022/03/26)
  3. 走査型プローブ顕微鏡を用いたパワーデバイス内部構造の比較および内部状態変化の観測
    土井敦史,松井五月,増田匠,佐藤宣夫,山本秀和, 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-001, (2022/03/23).
  4. 実測データを用いたパワー半導体デバイスの数値計算モデルの検討
    松井五月,増田 匠,土井敦史,佐藤宣夫,山本秀和, 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-003, (2022/03/23)

【学位論文】

  1. 学士論文 増田 匠:「FM-AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスのナノスケール観測」(2021/12/22)

2022年度

【修士1年後期(9月~12月)】

01 (09:00-)進捗報告進捗報告半導体エネルギー
変換工学特論
パワー
エレクトロニクス
02 (10:00-)ナノ・マイクロ
表面工学特論
03 (11:00-)
04 (12:00-)
05 (13:00-)[TA]
機械電子創成基盤
実験・実習
電気電子工学実験
応用光学特論
06 (14:00-)
07 (15:00-)
08 (16:00-)
09 (17:00-)
10 (18:00-)

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